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SOI란?
SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼(Wafer)는 차세대 반도체 개발의 바탕이 되는 기반기술!

기술개혁의 스피드가 빠른 LSI는 평상시보다 저소비 전력화가 기대되고 있습니다. 그중에서 차세대 반도체기술의 하나로써 주목받고 있는 것이 SOI기술입니다. 지금까지의 반도체 디바이스(Device)는 두께가 수백㎛의 실리콘웨이퍼(Silicon Wafer)로 제조되어지고 있습니다만, 반도체 디바이스(Device)로써 사용되어지고 있는것은 표면에서 수백㎛이하의 영역입니다.
나머지의 영역은 반도체 디바이스(Device)를 지지한는 지판으로서 사용되어지고 있습니다만, 이 기반의 영역때문에 여분의 전력이 사용 되어지고 더욱이 반도체 디바이스(Device)의 스피드를 떨어뜨리는 요인이 됩니다

 

SOI 웨이퍼(Wafer)는?

반도체 디바이스(Device)로서 사용되어지고 있는 표면에서 수백㎛이하의 영역의 실리콘 단결정층(單結晸層)을 절연층(絶緣層)의 위에 형성하여 이 절연층(絶緣層)에 의해 지지기바능로 부터의 영향을 분리합니다그럼으로 인해 SOI 웨이퍼(Wafer)는 고속화의 저소비전력화 모두를 실현 시킬 수 있습니다.

 

SOI 응용의 장점(Merit)은?

SOI 디바이스(Device)는 내열성(耐熱性)이 뛰어나며 우주선(宇宙繕)이나 방사전(放射繕)에도 강하기 때문에, 비교적 오래전부터 항공우주의 분야에 있어서는 실용화되어져 왔습니다. 그리고 미세화(微細化)에 의한 LSI의 성능향상이 한계에 다달한 지금에 와서, SOI는 그 한계를 한단계 끌어 올려주는 기술로서, 동(銅:Cu)배선, Low-K절연막(絶緣膜) 재료와 함께 주목 되어지고 있는 기술입니다.

 

SOI 웨이퍼(Wafer)를 사용하여 제조한 반도체 디바이스(Device)는?

지금까지의 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)를 사용하였을때와 비교하여, 고속화와 고진적화를 실현하면서 더욱이 소비전력을줄이는데 기대되어 지고 있습니다. 먼저, 고속화에의 요구가 대단히 큰, MPU의 개발 및 상품화의 움직임이 시작되어지고 있습니다. 다음으로서, 꾸준히 고속화와 저소비전력화를 하지 않으면 안되는 휴대전화 등의 통신용IC 및 노트북 컴퓨터(NoteBook PC), 휴대형단말 등에 사용되어지는 반도체 디바이스(Device)의 제조에 SOI 웨이퍼(Wafer)가 사용되어 질 것으로 생각되어 집니다. 또한 MEMS(Micro Electro Mechanical System)와 같은 자체의 구조적인 특징을 이용한 디바이스(Device)에의 응용도 생각되어 집니다. 이런한 SOI가 가지고 있는 특징별로 사용용도의 예를 제안하여 놓았습니다. 디바이스(Device)로 SOI 웨이퍼(Wafer)의 막층(膜層)의 구성에 대해서 일례를 들었습니다.